bonjour monsieur;
j'ai l'honneur de demander votre aide pour quelques probl=A8=A8mes qui
concernent la simulation I-V de la structure Schottky : Au/SiO2/n-Si
par la m=A8=A6thode de diff=A8=A6rences finis, svp .
1. Pour la structure MOS avec un semiconducteur de type N et avec
des =A8=A6tats de surface ; comment se com****te la courbure de bandes ,
est
ce qu'elle diminue lorsque la densit=A8=A6 de ces =A8=A6tats augmente, ou
augmente (pour un substrat de type N)?
2. Pour calculer la valeur du potentiel de surface =A6=D7s , j'ai
employ=A8=A6 les relations de la chute de tension Vi ( pour un substrat
de
type N) :
Vi =3D =A6=D5m - =A6=D6Si - =A6=D7s-Vn-V
(1)
Vi =3D(Qsc+Qss)Di/
=A6=C5ox
(2)
O=A8=B4 :
Vn =3D Ec-Efn
V :la tension appliqu=A8=A6
Di l'=A8=A6paisseur de la couche d'oxyde
Mais la valeur de =A6=D7s qui r=A8=A6sulte est positive, est ce qu'il y a
de=
s
fautes ; ou il faut juste de poser un signe (-) devant la r=A8=A6sultat.
svp, j' attend votre r=A8=A6ponse,
avec mes salutations;
